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著(zhu)名的摩爾定律(lv)揭示集成電(dian)路(lu)上(shang)可以容(rong)納的晶體管數(shu)目(mu)在(zai)大約每(mei)2年(nian)便(bian)會(hui)增(zeng)加一倍。雖然隨著(zhu)國(guo)際半(ban)導體的技術發展路(lu)線圖的更新，這一趨勢(shi)現在(zai)開始放緩，摩爾定律(lv)逐漸失效，但它仍然是(shi)半(ban)導體行(xing)業(ye)快速增(zeng)長和發展的強大驅動力。

高精(jing)du的流量(liang)(liang)測量(liang)(liang)和(he)控(kong)制(zhi)(zhi)是(shi)許多(duo)半導(dao)體制(zhi)(zhi)造技術的關鍵。科里奧(ao)利(li)質量(liang)(liang)流量(liang)(liang)計和(he)控(kong)制(zhi)(zhi)器(qi)是(shi)小流量(liang)(liang)液體應用的理想(xiang)選擇，因具(ju)有多(duo)種優點(dian)，使其成為半導(dao)體工藝的理想(xiang)選擇。

在本文中，我們將(jiang)簡要討論半導體行(xing)業(ye)并講述科里奧利質量流(liu)量控(kong)制技術的作(zuo)用。

半導(dao)體制造涉及大量的(de)加(jia)(jia)工技術。對于集成電路芯(xin)片，將一個圓柱形的(de)晶錠切成薄片，進行清洗和(he)(he)拋光，然后(hou)再進行各種加(jia)(jia)法(fa)和(he)(he)減法(fa)處理步驟(zou)。其中一個關鍵步驟(zou)，是半導(dao)體工業(ye)中應(ying)用最為廣泛的(de)一種叫做化學氣相沉(chen)積(CVD)的(de)技術。

 CVD 

／化學氣相沉積／

化學(xue)氣相沉(chen)積法是傳統(tong)的(de)(de)制(zhi)(zhi)備薄膜的(de)(de)技術(shu)，指化學(xue)氣體或蒸汽在基質表面反(fan)應(ying)合成(cheng)涂層或納米材料的(de)(de)方法，是半導(dao)體工業中應(ying)用(yong)(yong)最(zui)為廣泛的(de)(de)用(yong)(yong)來沉(chen)積多種(zhong)材料的(de)(de)技術(shu)。在集成(cheng)電路(lu)的(de)(de)制(zhi)(zhi)造過程(cheng)中，襯底通常為硅片(pian)。CVD能夠創造高阻隔膜，非常適用(yong)(yong)于(yu)具(ju)有復(fu)雜幾何形狀(zhuang)的(de)(de)集成(cheng)電路(lu)。

這個過程可以簡單地用幾個步(bu)驟來描(miao)述:

-襯(chen)底(di)(在(zai)這(zhe)種情況下(xia)是硅(gui)片)被裝入真空室。

-使用質量流量控制器(qi)將qian qu物精(jing)que地從儲罐流向汽(qi)化區(qu)域(yu)。

-通過增加熱量和/或降低壓力而汽化xian驅物。

-氣態的前(qian)驅物進入真空(kong)室(shi)，并反應形成(cheng)聚合物沉(chen)積在基材表(biao)面。

-所(suo)有揮發性的副產物通過腔室橫向氣流排出。